لا يتوقف سباق التنافس بين عمالقة التكنولوجيا في عالم التقنية، ففي الوقت الذي تأخرت فيه شركة Intel عن إطلاق أحدث رقاقات بتقنية 10-nanometer الى الأسواق، نجحت العملاق الكوري سامسونج في الانتهاء من تطوير أنظمة رقاقات DRAM فئة 10-nanometer.
استطاعت شركة سامسونج التفوق على منافسيها SK Hynix وMicron، حيث بدأت بالفعل سامسونج في تصنيع رقاقات DDR4 فئة 10-nanometer التي تستخدم تقنية بحجم 8 جيجا بايت، ومن المقرر أن تنتج شركة سامسونج هذا العام نماذج SIMM التي تقدم الدعم لمجموعة متنوعة من أجهزة الحاسبات المحمولة من 4 جيجا بايت الى 128 جيجا بايت.
وقد أكدت شركة سامسونج أيضا على إطلاق رقاقات 10-nanometer لذاكرة DRAM الهواتف المحمولة خلال الفترة القادمة، بعد اصدار ذاكرتها الفلاشية SSD مع تقنية 10-nanometer NAND مع منتجات السعة تخزينية خلال العام الماضي، الا ان تصغير حجم رقاقات DRAM لتناسب الهواتف المحمولة يمثل صعوبة أكبر في عملية الإنتاج.
وتحتاج سامسونج لتصنيع الذاكرة 10-nanometer NAND بحجم صغير لتناسب الهواتف المحمولة الى capacitor مع transistors بنفس الحجم أيضا بشكل خاص في الذاكرة الغير ثابتة، وبالتالي فعلى سامسونج أن تكدس مجموعة من المكثفات اسطوانية الشكل في مساحة ضيقة جدا لتخزين الشحنات الكهربائية، هذا الى جانب عشرات من transistors بحجم nanometer، التي تنتج في النهاية خلايا تصل الى ثماني مليارات وفقا لتصريحات شركة سامسونج.
وتدعم تقنية 10-nanometer NAND في رقاقات الذاكرة الجديدة الحاسبات بسرعة 30% أكثر، مع قدرة أكبر بنسبة 20% من الإصدار السابق 20-nanometer RAM من سامسونج، حيث من المتوقع أن تبدأ سامسونج توفير الذاكرة الجديدة للحاسبات المحمولة في البداية، على أن تتوفر النماذج الجديدة من 10-nanometer NAND لصانعي الحاسبات قبل نهاية هذا العام.
