في وقت سابق من هذا العام، بدأت سامسونج في إنتاج رقاقات الذاكرة GDDR6 “فئة 10nm” لبطاقات الرسوميات، و الآن كشفت الشركة عن أول شرائح LPDDR5 بسعة 8 جيجابيت للأجيال القادمة من الهواتف الذكية.
و توفر هذه الرقائق معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجابايت في الثانية، و هو تحسن بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية. و يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية .
و الجدير بالذكر إنه لم يتم إصلاح الجهد، و مع ذلك، فإنه يتغير استنادًا إلى سرعة التشغيل. و يحتاج وضع السكون العميق إلى حوالي نصف الطاقة مثل LPDDR4X، لذلك من المتوقع توفير الطاقة بنسبة 30% في الاستخدام العام.
و تتوقع سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض نطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي و الهواتف التي تدعم تقنية 5G.
كما قامت الشركة و بائعي التجزئة الرائدين باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثمانية من رقائق LPDDR5. و ستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
