أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت الإنتاج الضخم لشرائح الذاكرة العمودية NAND (V-NAND) الجديدة من الجيل التاسع، والتي تتميز بكثافة بت أعلى بنسبة 50 بالمئة من منتجات الجيل الثامن.
بالإضافة إلى ذلك، تدعم منتجات الجيل التاسع واجهة فلاش NAND جديدة تسمى “Toggle 5.1” والتي تتيح سرعات نقل بيانات تصل إلى 3.2 جيجابت في الثانية، وهو أعلى بنسبة 33 بالمئة من الأجيال السابقة.
علاوةً على ذلك، فإن الشرائح الجديدة أكثر كفاءة في استخدام الطاقة بنسبة 10 بالمئة.
تم بذل الكثير من الجهد والعمل في الجيل التاسع من V-NAND. فقد استخدمت سامسونج ابتكارات جديدة مثل تجنب تداخل الخلايا وإطالة عمر الخلية.
كما استفادت الشركة من تقنية حفر فتحات القنوات المتقدمة، والتي تساعد على زيادة الإنتاجية في المصنع إلى الحد الأقصى. سيتم استخدام شرائح V-NAND الجديدة الأسرع والأعلى قدرة في منتجات مثل محركات أقراص SSD عالية الأداء. وتخطط سامسونج لتوسيع دعم PCIe 5.0 للاستفادة من السرعة الإضافية.
تقوم الشركة حاليًا بإنتاج شرائح V-NAND بسعة 1 تيرابايت من الجيل التاسع مع خلايا ثلاثية المستوى (TLC). وفي النصف الثاني من هذا العام، ستبدأ أيضًا في صنع نسخة خلية رباعية المستوى (QLC) من هذه الشرائح.
