أعلنت شركة سامسونج اليوم عن إصدار محدث من ذاكرة DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابايت، فقد تم بناء الذاكرة على تقنية معالجة من فئة 12 نانومتر، مطورة من منتج 14 نانومتر EUV الموجود حاليًا في السوق.
كما تم الإعلان عن أن ذاكرة DDR5 DRAM الجديدة متوافقة مع منتجات AMD، وقد تم تحسينها والتحقق من صحتها على منصات Zen.
وقال Jooyoung Lee، نائب الرئيس التنفيذي لمنتج وتقنية DRAM في سامسونج، إن المعيار الجديد سيكون عاملاً تمكينيًا رئيسيًا في دفع اعتماد DDR5 DRAM على مستوى السوق. يتم تصنيعه باستخدام مادة جديدة تزيد من سعة الخلية وتقنية التصميم الخاصة التي تعمل على تحسين خصائص الدوائر الحرجة.
يعتمد DRAM الجديد على الطباعة الحجرية EUV (الأشعة فوق البنفسجية الشديدة)، مما يسمح بكثافة قالب أعلى وإنتاجية أفضل بنسبة 20٪. كما أنه يستهلك طاقة أقل بنسبة 23٪.
من المتوقع أن يبدأ شحن بطاقات الذاكرة الجديدة في عام 2023.
