أعلنت كلاً من IBM و Samsung عن طفرة جديدة في تصميم أشباه الموصلات، حيث قدمت الشركتين تصميم جديد لتكديس الترانزستورات بشكل عمودي في الرقاقة.
تتميز الترانزستورات الحالية بتصميم مسطح على سطح السيليكون لدعم تدفق التيار الكهربي من جانب إلى أخر، بينما تتميز الترانزستورات الجديدة بتصميم عمودي يدعم تدفق التيار بشكل رأسي.
وتؤكد IBM و Samsung على أن التصميم الجديد يمكن أن يقدم اثنان من المميزات الرئيسية، حيث يمكن لهذا التصميم أن يتجاوز حدود الآداء ليتخطى تقنية nanosheet من IBM.
من جانب أخر يدعم هذا التصميم خفض إهدار الطاقة مع زيادة التدفق، لذا من المتوقع أن تأتي VTFET بآداء أسرع مرتين أكثر مع إستهلاك أقل للطاقة بنسبة 85% مقارنة بالرقاقات المميزة بترانزستورات FinFET.
كما تؤكد IBM و Samsung على أن التصميم الجديد من شأنه أن يدعم الهواتف لاحقاً في الإستمرار بعمر شحن يصل إلى أسبوع كامل، كما ستدعم تنفيذ المهام المكثفة مثل مهام التشفير بإستهلاك أقل للطاقة مما يعزز حماية البيئة لاحقاً.