رصد موقع AnandTech إرتفاع حرارة النموذج الأولي من بطاقة SD Express الجديدة التي ترتكز على NVMe في الإختبارات التي أجريت على النموذج، حيث إرتفعت حرارة البطاقة إلى 96 درجة مئوية.
تسعى الشركات لزيادة سرعة الجيل القادم من بطاقات SD، حيث أشارت التقارير السابقة إلى تطوير جيل جديد من بطاقات SD Express يتميز بسرعة تصل إلى 4 جيجا بت في الثانية، على أن ترتكز هذه البطاقات على واجهة PCI-Express و NVMe.
ولقد أوضحت إختبارات النموذج الأولى من بطاقات SD Express تسجيل البطاقة 900 ميجابايت / ثانية في الكتابة، و400 ميجابايت / ثانية في القراءة.
وتستهدف البطاقة وحدة التحكم SM2708 آداء يصل إلى سرعات قصوى تبلغ حوالي 985 ميجابايت / ثانية و 197 ميجابايت / ثانية، لذا لا تصل إلى 4 جيجابايت / ثانية المميزة لوحدات التحكم المستقبلية.
من جانب أخر تشير أحدث التقارير إلى أن السرعة غير محددة نتيجة لإرتفاع حرارة البطاقة في الأجهزة مثل الكاميرات، وأجهزة الحاسب، إلا أن التسريبات تشير إلى أن الشركة تعمل بالفعل على تطوير SD Express في الوقت الراهن لتفادي إرتفاع الحرارة في الجيل القادم من البطاقات.