كانت شركة IBM قد أعلنت خلال الأسبوع الماضي عن تطوير تقنية لإنتاج رقاقات بترانزستورات بدقة تصنيع 2 نانومتر، والتي تأتي بآداء أفضل، وإستهلاك الطاقة بكفاءة أعلى، كما تتميز بتصميم مبتكر.
تطور IBM رقاقات بترانزستورات بدقة تصنيع 2 نانومتر، والتي تتميز بتصميم مبتكر”nanosheet”، والتي تعد ترقية كبيرة للرقاقات الحالية المميزة بدقة تصنيع 5 و7 نانومتر التي تتميز بترانزستورات بمعمارية “FinFET”.
وتأتي الترانزستورات المطورة من IBM بدقة تصنيع 2 نانومتر بتصميم Nanosheet، وهو تصميم مبتكر يدعم تحسين كفاءة إستهلاك الطاقة، كما يدعم المهندسين في تعديل الخصائص الكهربائية لأجزاء الرقاقات بتجربة أكثر سلاسة، لذا تغير IBM معايير FinFET التي إستخدمت منذ عام 2011.