أعلنت العملاق الكوري عن إصدارها الجديد من الذاكرة DDR5 المميزة بسعة أكبر وآداء أكثر سرعة، كما تدعم إستهلاك الطاقة بنسبة أقل.
تتميز ذاكرة DDR5 الجديدة من سامسونج بسعة 512 جيجا بايت، وهي الأولى بتقنية HKMG، كما تدعم الذاكرة سرعة 7200 ميجابت في الثانية أي سرعة أكبر من ضعف سرعة ذاكرة DDR4.
وتستهدف سامسونج بالإصدار الجديد من ذاكرة DDR5 دعم الحوسبة الفائقة التي ترتكز على تقنية الذكاء الإصطناعي، إلا أن التوقعات تشير إلى أن الذاكرة ستصل أيضاً في النهاية إلى أجهزة الحاسب التقليدية لدعم الألعاب والتطبيقات المختلفة.
ولقد إستخدمت تقنية سامسونج HKMG للمرة الأولى خلال 2018، في شرائح ذاكرة GDDR6 التي تستخدم في كرت الشاشة، أيضاً طورت التقنية من إنتل حيث ترتكز في تصميمها على الهافنيوم كبديل للسيليكون، كما تم استبدال المعادن بأقطاب البولي سيليكون، وهو تصميم يتيح ترقية كثافة الشرائح وخفض التسريب الحالي.
وتتضمن كل شريحة عدد 8 من الطبقات 16 جيجا بايت بسعة 128 جيجا بايت أو 16 جيجا بايت، كما تدعم 32 من الطبقات الذاكرة المميزة بسعة 512 جيجا بايت رام، كما تؤكد سامسونج على أن الشرائح تستهلك الطاقة بنسبة أقل 13% مقارنة بالشرائح التي لا تتضمن HKMG، أيضاً يمكن للذاكرة أن تقدم آداء مثالي في مراكز البيانات.