أعلنت سامسونج عن جلب تحسينات للشرائح المميزة بدقة تصنيع 7 نانومتر، حيث ترتكز حزمة الشرائح الآن على تقنية 3D بعملية تصنيع EUV والتي تدعم توفير الطاقة، مع تقليص المساحة التي تشغلها وحدة المعالجة.
بدأت العملاق الكوري بالفعل في الإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع 5 نانومتر، التي تدعم الجيل الجديد من هواتف الشركة المميزة العام المقبل، والتي تنطلق بعنوان Galaxy S21 أو Galaxy S30، ومع تركيز العملاق الكوري على الجيل الجديد من الشرائح، إلا أن سامسونج أكدت رسمياً على جلب تحسينات للشرائح المميزة بدقة تصنيع 7 نانومتر.
ولقد حرصت شركة سامسونج على إضافة تحسينات للشرائح المميزة بدقة تصنيع 7 نانومتر من خلال إستخدام تقنية 3D لجمع الشرائح في حزمة بإستخدام عملية تصنيع EUV التي تركز على دقة 7 نانومتر، وهي تقنية تعرف من سامسونج بتقنية X-Cube.
وترتكز هذه التقنية الجديدة في ضغط الشرائح على تكديس ذاكرة SRAM إلى أعلى القالب، وذلك بإستخدم تقنية سامسونج TSV التي تركز على ثقوب صغيرة لدعم ربط طبقات الرقائق، وهي عملية تختلف عن نظام أشباه الموصلات التقليدي.
وتدعم هذه التقنية الجديدة في عملية تصنيع الرقائق بدقة تصنيع 7 نانومتر، تقليص حجم الرقاقات، وأيضاً توفير إستهلاك الطاقة في وحدة المعالجة، هذا إلى جانب سرعة نقل البيانات.