إستطاعت شركة سامسونج تطوير ذاكرة SSD فلاشية جديدة مميزة بتصميم من 100 طبقة من خلايا NAND خلال 13 شهر فقط، كما بدأت الشركة بالفعل في الإنتاج الضخم للذاكرة الجديدة.
تأتي ذاكرة SSD الجديدة من سامسونج بالجيل السادس من خلايا NAND العمودية سعة 256 جيجا بايت، لتكون أول ذاكرة من سامسونج مميزة ب100 طبقة من خلايا NAND، مع سرعة كتابة 450 مايكروثانية، وسرعة قراءة 45 مايكروثانية.
وتأتي الذاكرة الجديدة بترقية عن الإصدار السابق المميز بتصميم من 90 طبقة من خلايا NAND، كما تم تحسين آداء الذاكرة بنسبة 10%، مع تحسينات في إستهلاك الطاقة التي انخفضت بنسبة 15%.
يذكر أن سامسونج تخطط للتوسع بشكل أكبر خلال الفترة القادمة في سوق SSD، بشكل خاص مع التطور السريع الذي طرأ على تقنية ذاكرة SSD الفلاشية خلال الفترة الأخيرة.