أكدت شركة NVIDIA في تصريحاتها مؤخراً على خططها لإستخدام تقنية تصنيع EUV من سامسونج المميزة بدقة تصنيع 7 نانومتر في الجيل القادم من كرت الشاشة.
في مؤتمر إنفيديا الذي عقد مؤخراً في Seoul أكد Yoo Eung-joon رئيس شركة NVIDIA أكد على أن الشركة كانت قد إستخدمت تقنية تصنيع TSMC التي تعرف ب FinFET وتتميز بدقة 12 ناومتر في سلسلة كرت الشاشة RTX 20، والتي جاءت بعد أن أعتمدت سابقاً على تقنية تصنيع سامسونج المميزة بدقة 14 نانومتر في بطاقات GTX 1050.
من جانب أخر عقدت IBM إتفاقية مع سامسونج لإستخدام تقنية تصنيع العملاق الكوري المميزة بدقة تصنيع 7 نانومتر في الجيل القادم من المعالجات لأنظمة IBM Power، وIBM z، إلى جانب LinuxONE.
كما بدأت العملاق الكوري الإنتاج الضخم لEUV التي ترتكز على LPP بدقة تصنيع 7 نانومتر في أكتوبر الماضي، حيث أشارت الشركة خلال هذا الوقت إلى خططها لتوسيع الإنتاج بحلول 2020، لذا من المتوقع أن تبدأ إنفيديا بإطلاق الإصدارات الجديدة من كرت الشاشة المميزة بتقنية تصنيع سامسونج EUV وبدقة تصنيع 7 نانومتر في 2020.
