أشارت تسريبات جديدة خرجت من الصين اليوم، على أن العملاق الكوري ترفع معايير الذاكرة العشوائية المستخدمة في هاتفها المرتقب Galaxy S8، كما تقدم الهاتف مع ذاكرة فلاشية UFS 2.1.
تستمر التسريبات والتوقعات في الإنتشار حول هاتف سامسونج القادم Galaxy S8، وفي أحدث هذه التسريبات أشير إلى أن سامسونج تنتقل إلى مستوى جديد للذاكرة العشوائية في إصداراها المميز Galaxy S8 الذي يأتي وفقاً لهذه التسريبات مع ذاكرة عشوائية 8 جيجا بايت رام.
وقد جاءت التسريبات الجديدة عبر موقع Weibo في الصين، عبر حساب اختص بتسريبات العملاق الكوري، والتي تثبت صحتها غالباً، كما أكدت هذه التسريبات على أن سامسونج تقدم هاتف Galaxy S8 مع رقاقة معالج الشركة التي تأتي بدقة تصنيع 10 نانومتر.
أيضاً أشير في هذه التسريبات إلى إستخدام سامسونج ذاكرة UFS 2.1 الفلاشية في هاتف Galaxy S8 القادم، كما أشارت التسريبات حتى الآن أن سامسونج تقدم هاتف Galaxy S8 في نموذجين بحجم 5 و6 أنش مع توقعات أن يعرف الإصدار الأكبر بهاتف Galaxy S8 Plus، وأن يتم الكشف الرسمي عن هواتف سامسونج الجديدة في مؤتمر يقام في شهر أبريل من عام 2017.
