تحالف جديد يجمع بين العملاق الكوري سامسونج و شركة كوالكوم لتصنيع رقاقة معالج سناب دراجون 835، التي تأتي بدقة تصنيع سامسونج 10 نانومتر، وتقنية الشحن السريع من كوالكوم Quick Charge 4.
أعلنت شركة كوالكوم رسمياً عن شراكتها مع سامسونج لتصنيع رقاقة معالج سناب دراجون 835، التي تجمع بين تقنية سامسونج في دقة تصنيع 10nm FinFET، لتكون أصغر إصدار من رقاقات المعالج المخصصة للهواتف الذكية لتوفر كفاءة في المساحة المستخدمة بنسبة 30%، مع أداء أعلى 27% أكثر.
كما تشير كوالكوم إلى أن رقاقة المعالج سناب دراجون 835 تأتي بكفاءة في استهلاك الطاقة بنسبة 40% أقل من الإصدارات السابقة، كما أن التقنية الجديدة في دقة تصنيع 10 نانومتر التي تدعم تصميم أصغر لرقاقة المعالج، من شأنه أن يدعم الشركات المصنعة للهواتف الذكية والأجهزة في تصميم إصدارات أصغر حجماً، أو دعم المحتويات الأخرى للهاتف بشكل أفضل.
كوالكوم تدعم أيضاً رقاقة معالج سناب دراجون 835 بتقنية الشحن الذكي Quick Charge 4 الجديدة التي تستخدم للمرة الأولى مع رقاقة المعالج، حيث تؤكد كوالكوم على قدرة تقنية الشحن الجديدة على دعم سرعة شحن أكبر ب 20%من Quick Charge 3، كما أنها تأتي بكفاءة شحن 30% أكثر مقارنة بالإصدار السابق، مع تقنية شحن Dual parallel.
كما تدعم رقاقة معالج سناب دراجون 835 معايير USB C مع USB لتوصيل الطاقة، أي أن الرقاقة الجديدة ستدعم الشحن السريع لمحركات USB-PD، مثل أجهزة Nexus وهواتف Pixel، إلى جانب دعم شحن أجهزة MacBooks عن طريق منفذ USB C باستخدام شاحن Quick Charge 4.
كما تشمل تقنية الشحن السريع 4 الجيل الثالث من تقنية INOV التي توفر الجهد الأمثل، كما تدعم إدارة حرارية في الوقت الحقيقي للشحن، كما تقدم كوالكوم اثنان من تقنية ICs لإدارة حرارية بكفاءة أكبر في كلاً من SMB1380 وSMB1381، حيث تدعم كلاً منهما مقاومة منخفضة بكفاءة تصل إلى 95%، كما تأتي تقنية الشحن السريع أيضاً بمميزات في استشعار أفضل للبطارية.
من المتوقع أيضاً أن تبدأ رقاقة معالج سناب دراجون 835 في الإنطلاق للأسواق أو لصانعي الأجهزة المحمولة في النصف الأول من عام 2017.
