قدمت العملاق الكوري مؤخراً ذاكرة HBM3E 12H الجديدة التي تضم TC NCF والمطورة بشكل رئيسي لتحسين آداء التعلم الآلي وتقنية الذكاء الإصطناعي المتقدمة.
كانت شركة سامسونج قد أطلقت HBM3E Shinebolt في شهر أكتوبر الماضي كإصدار محسن من الجيل الثالث من ذاكرة HBM، والتي تتميز بدعم سرعة 9.8 جيجابت في الثانية لكل طرف أي بمجموع 1.2 تيرابايت في الثانية للحزمة كاملة.
بينما تنطلق ذاكرة HBM3E 12H الجديدة بعدد 12 وحدة تم ضغطها بشكل رأسي وهو ما يشير إليه رمز 12H، ويهدف هذا التصميم إلى إستيعاب مزيد من الذاكرة في كل وحدة، ولقد إستطاعت سامسونج أن تصل إلى سعة 36 جيجابايت في 12H أي ترقية مقارنة ب8H بنسبة 50%، لكن دون تغيير للنطاق الترددي 1.2 تيرابايت في الثانية.
من جانب أخر تشير TC NCF إلى المادة بين الطبقات المضغوطة، والتي تهدف إلى تحسين آداء التبريد للذاكرة إلى جانب تحسين الإنتاجية.
كما تحرص سامسونج على تطوير أجهزة بتصميم أجهزة بتصميم أنحف يصل إلى 7µm، لذا تأتي وحدات 12H المضغوطة في الذاكرة بنفس إرتفاع 8H.
ومن المقرر أن تقدم السعة الإضافية في ذاكرة HBM3E 12H دعم أفضل لتسريع آداء تقنية الذكاء الإصطناعي والتعلم الآلي في الأجهزة بنسبة 34%.
